صفحه اصلی | ان آر تی سی | صفحه اصلی<

09392522438  
   EN | FA
سه شنبه, 21 آبان 1398 ساعت 00:38

خواص الکترونی نانونوارهای زیگزاگ

خواص الکترونی نانونوارهای زیگزاگ


محاسبات مبتنی بر رهیافت DFT در مورد نانوریبون های زیگزاگ نشان می دهد که چگالی حالت های (DOS) آنها در اطراف تراز فرمی نسبتا زیاد و نیمه پر می باشد که منجر به پدیده ای به نام ناپایداری استونر شده و باعث به وجود آمدن خواص مغناطیسی در این نانوریبون ها می گردد [1]. به کمک محاسبات اسپینی در رهیافت DFT محققین مشاهده کردند که در هر یک از لبه های زیگزاگ این نانوریبون ها خواص فرومغناطیسی داشته و جهتگیری اسپینی در دو لبه کاملا در خلاف هم می باشد. همچنین روند تغییرات گاف نواری با افزایش عرض نانوریبون های گرافنی زیگزاگ تقریبا مشابه نوع آرمچیر، روند کاهشی دارد (شکل-1) [2].

 

 

 

Zigzag nanoribbon band structure
شکل-1: ساختار نواری نانوریبون زیگزاگ Nz=12 و روند کاهشی گاف نواری این نانوریبون ها با افزایش عرض ریبون (نقاط مشکی گاف مستقیم نانوریبون های زیگزاگ را نشان می دهند).


در نمودار چگالی بار شکل-1 به خوبی مشاهده می شود که ممان اسپینی بر روی اتم های کربن اطراف لبه های نانوریبون های زیگزاگ توزیع شده است و اختلاف انرژی بین لبه ها با افزایش پهنای ریبون بیشتر می شود. به عنوان مثال این اختلاف انرژی برای نانوریبون های زیگزاگ Nz=9 تقریبا 20 meV بوده در حالی که برای نانوریبون Nz=16 به 24 meV افزایش پیدا می کند. یانگ لی و همکارانش به کمک تقریب GW به محاسبه ی گاف نواری نانوریبون های زیگزاگ پرداختند که نتیجه ی این محاسبات همانند آنچه درباره ی نانوریبون های آرمچیر گزارش شده است، روند مشابه رهیافت DFT را داشته اما مقدار گاف حدودا 1 eV بزرگتر از آنچه در DFT محاسبه شده، بدست آمده است (شکل-2).

High spin band and low spin band

شکل-2: گاف نواری اسپین بالا و اسپین پایین بدست آمده برای نانوریبون های زیگزاگ به دو روش DFT با تقریب LSDA و تقریب GW.


بر اساس این نتایج به خوبی دیده می شود که نتایج بدست آمده با روش DFT از نظر کیفی کاملا با تقریب GW همخوانی دارد و به کمک نتایج آن می توان به درستی فیزیک پدیده ی در حال وقوع در نانوریبون های گرافنی را تحلیل نمود، اما آنجا که پای اندازه گیری های دقیق به میان می آید تقریب GW راهگشا خواهد بود.

 

References

[1] M. Wu, X. Wu, Y. Gao, X.C. Zeng, Applied Physics Letters, 94 (2009) 223111.

[2] Y.-W. Son, M.L. Cohen, S.G. Louie, Physical review letters, 97 (2006) 216803.

منتشرشده در مقاله
دوشنبه, 20 آبان 1398 ساعت 22:35

خواص الکترونی ریبون آرمچیر

 

خواص الکترونی نانوریبون های آرمچیر

 

روش های محاسباتی متعددی برای بررسی خواص الکترونی نانونوارهای آرمچیر مورد استفاده قرار گرفته اند: روش بستگی قوی[1]، محاسبات تئوری تابعی چگالی[2] و رهیافت بس الکترونی به کمک تابع گرین[3] (GW). در این میان رهیافت تئوری تابعی چگالی از دقیقترین رهیافت هایی است که تا بحال دقت محاسباتش در حوزه فیزیک حالت جامد و سیستم های نانومقیاس به اثبات رسیده است. از همین روی اکثر محاسبات تئوری انجام شده به روش تئوری تابعی چگالی بوده است. با این حال محرز شده است که تئوری تابعی چگالی مقدار گاف نواری را کمتر مقدار واقعی تخمین می زند. به همین دلیل تقریب GW برای اصلاح دقت DFT توسعه یافته و بر دقت محاسبه ی گاف نواری افزوده است.

سان[4] و همکارانش [1] مطالعات مفصلی به کمک رهیافت DFT بر روی خواص الکترونی نانونوارهای آرمچیر گرافن انجام داده اند. نتایج آنان نشان می دهد که تمامی نانونوارهای آرمچیر گرافن نیمه رسانا هستند که گاف نواری آنها با افزایش عرض نانونوار افزایش پیدا می کند. همانطور که در شکل-1 به خوبی مشاهده می شود گاف الکتریکی این نانونوارها بر حسب عرض نوار به سه دسته تقسیم بندی می شود:

 

 

Bandwidth Graphene Armchair Nanowires Calculated by Density Functional Theory 

شکل-1: گاف نواری نانونوارهای آرمچیر گرافن محاسبه شده به روش تئوری تابعی چگالی.

 

همانطوری که به خودی مشاهده می شود، نانونوارهای Na=3p+1 بزرگترین گاف را داشته و نانونوارهای Na=3p+2 کوچکترین مقدار را دارند. هیچ خاصیت مغناطیسی ای در این نانونوارها مشاهده نشده است. به علاوه، نانونوارهای آرمچیر نیمه رساناهایی با گاف نواری مستقیم هستند. فاکتور تاثیرگذار بر پدید آمدن این گاف نواری در ساختار نانونوار های گرافنی عامل محدودیت کوانتومی[5] (QCE) می باشد که شکل-2 که تغییرات گاف را با تغییر پهنای این نانونوارها نشان میدهد به خوبی این ادعا را ثابت می کند. هر چه پهنای نانونوار افزایش یافته و نانونوار به سمت صفحه ی گرافنی میل می کند گاف کاهش می یابد. علاوه بر این سان و همکارانش نشان دادند که تاثیرات لبه ای نیز نقش مهمی در نیمه رسانا شدن نانونوارهای آرمچیر بازی می کنند. می دانیم که کربن های لبه ی نانونوارهای آرمچیر با اتم های هیدروژن اشباع می شوند، که این اتفاق منجر به تغییر طول پیوندهای اتم های کربن لبه ای می شود. از همین روی پیوند کربن های لبه ی نانونوارها طول کمتری نسبت به اتم های میانی داشته و منجر به ایجاد گاف نواری در نانونوارهای گرافنی می شود.

تمامی نانونوارهای آرمچیر دارای ساختار نواری تقریبا مشابهی هستند که نمودار ساختار نواری نانوریبون Na=13 در شکل-2 نشان داده شده است. در این ساختار چهار زیرنوار وجود دارد که مهمترین نقش را در خواص الکترونی نانوریبون های آرمچیر بازی می کنند. این زیرنوارها از ترکیب اوربیتال های π اتم های کربن ساخته شده و دارای شکل های متفاوتی هستند که امکان تغییر گاف به کمک مهندسی این اوربیتال ها را توسط عوامل خارجی مانند کرنش[6] می دهند [2].

 

 

Diagram of the Armchair nanoribbon band structure Na  13 and its charge density 

شکل-2: نمودار ساختار نواری نانوریبون آرمچیر (Na=13) و چگالی بار آن.

در حالت کلی، رهیافت DFT قادر است که تصویر صحیحی از ساختار نواری نانوهای آرمچیر بدهد اما برای اصلاح دقت گاف می بایست از رهیافت های دیگری بهره برد. از همین روی برای حل این مشکل، لی یانگ[7] و همکارانش [3] در محاسبات ابتدا به ساکن از توابع گرین بس ذره و تقریب GW استفاده کردند که روش بسیار دقیق تری برای محاسبه ی گاف نواری مبی باشد. روند نتایج بدست آمده کاملا با نتایج DFT همخوانی داشته اما مقدار عدد گاف متفاوت بوده و با دقت بهتری حاصل شد (شکل-3). این نتایج نشان داد که نانونوارهای آرمچیر با عرض کم، گاف نسبتا بزرگی دارند.

 

Band gap obtained for Armchair nanoribbons by DFT method with LDA approximation and GW approximation 

شکل-3: گاف نواری بدست آمده برای نانوریبون های آرمچیر به دو روش DFT با تقریب LDA و تقریب GW.

 

References

[1] Y.-W. Son, M.L. Cohen, S.G. Louie, Physical review letters, 97 (2006) 216803.

[2] L. Sun, Q. Li, H. Ren, H. Su, Q.W. Shi, J. Yang, The Journal of chemical physics, 129 (2008) 074704.

[3] L. Yang, C.-H. Park, Y.-W. Son, M.L. Cohen, S.G. Louie, Physical Review Letters, 99 (2007) 186801.

 


[1]Tight-Binding

[2]Density Functional Theory (DFT)

[3]Many-electron Green’s function (GW)

[4]Young-Woo Son

[5]Quantum Confinement Effect

[6]Strain

[7]Li Yang

منتشرشده در مقاله
یکشنبه, 19 آبان 1398 ساعت 23:57

گرافاین و گرافداین

 

گرافاین و گرافداین 

 

گرافاین یکی از آلوتروپ های کربن است.

این ماده از اتم های کربن که با هیبریداسیون sp و sp2 در صفحه ای به ضخامت یک اتم با هم پیوند تشکیل داده اند شکل یافته است. با وجود آنکه پایداری این ماده بصورت تئوری تایید شده است اما تاکنون بصورت تجربی تنها تکه های مولکول گونه ای از آن بصورت واقعی سنتز شده است [1].

با این وجود، ساختار گرافاین تنوع بسیاری دارد که برخی از این ساختارها در شکل-1 نشان داده شده اند.

 

 

Graphyne Graphdiyne

شکل-1: از سمت چپ: گرافن، α-گرافاین، β-گرافاین، δ-گرافاین.

 

وجود گرافاین از سال دهه ی 1960 پیشبینی شده بود و پس از کشف فولورن مورد توجهات بیشتری را به خود جلب کرد [2]. از دهه ی 1980 مطالعات تئوری گسترده ای بر روی ساختارهای گرافاین صورت گرفت.

در واقع گرافاین یکی از گونه های گرافن است که که به کمک پیوند استیلنی، شش ضلعی های گرافن را به هم متصل می کند. در شکل-2 ساختار هندسی γ–گرافاین نشان داده شده است.

 

 

Geometric structure of y-graphene

شکل-2: ساختار هندسی γ-گرافاین.

گرافاين يك نام عمومي براي خانواده دو بعدي از اتم هاي كربن است كه ويژگي هايي از قبيل :

چگالي كم

انرژي تشكيل پايين

استحكام حرارتي بالا

و خواص الكترومكانيكي بالا دارد.

گرافاین یک چند شکلی مانند گرافن است که بین نزدیکترین همسایه ­های هگزاگونال آن پیوند­های کربنی وجود دارد (شکل-2).

قطعات کوچکی از این ساختارهای دوبعدی قبلا سنتز شده اند [1]. بسیاری از اشکال مختلف این ساختارها با در نظر گرفتن پایداری شیمیایی آن ها می­توانند طراحی گردند. در آینده این ساختارها ممکن است همانند سنتز گرافن روی سطح فلز بروش بخار شیمیایی از مولکول­ های آلی، با استفاده از سطوح به عنوان نگه دارنده سنتز شود.

همچنینسنتز نانو لوله از جنس گرافاین، بین یک قالب آندی اکسید آلومینیوم که با ورقه ای از مس پوشیده شده انجام گرفته است [3]. آزمایشات نشان داده است که این نیمرسانا رسانندگی ای دارد که به رسانندگی سیلیکون نزدیک است.

گرافاین حفره­های طبیعی بیشتری نسبت به گرافن دارد. در واقع فاصله بین حلقه ­ها در این ساختار زیادتر بوده و بنابر­این داوطلب­های مختلفی را برای پذیرش دوپینگ نوع nو pیا جذب گاز و ... می پذیرد. این امرباعث افزایش کاربردهای این نانو ساختار می­گردد. گرافاین حالت خاصی از گرافداین است که بین حلقه ­های کربنی آن تنها یک پیوند سه گانه وجود دارد. در واقع یک سوم از پیوند های کربن-کربن در گرافن با پیوند­های سه گانه استیلنی جایگزین شده­اند.

 

Geometric shape of graphene

شکل ‏118: شکل هندسی گرافداین.

به دلیل داشتن هیبریداسیون sp2 و sp وحفره های ذاتی قابل مقایسه نسبت به گرافن کاربردهای وسیع تری دارد. زیرا در گرافن فقط اسپین های sp2 داریم بنابراین در کاربردهای جذب اوربیتال های spنقش مهمی ایفا می کند و جذب را پایدارتر می کند. گاف انرژی نانوریبون های گرافداین بالبه آرمیچر در رنج 0.54-0.97eVو برای لبه زیگزاگ 0.73-1.65 eV است.

گاف نواری بزرگ و قابل تنظیم فاکتور مناسبی برای کاربرد قطعات های الکترونیکی است، به همین دلیل احتمال زیادی وجود دارد که در آینده ای نه چندان دور برای ارتقاء خواص الکتریکی، اپتیکی و مکانیکی از قطعات الکترونیکی از گرافداین استفاده می شود زیرا گرافن علی رغم خواص ویژه ای که دارد اما گاف نواری صفر آن باعث محدودیت کاربردش در ترانزیستورهای FET ، سوئیچ های پرسرعت و ... می شود [3].

 

References

[1] D. Malko, C. Neiss, F. Viñes, A. Görling, Physical review letters, 108 (2012) 086804.

[2] A.T. Balaban, C.C. Rentia, E. Ciupitu, REVUE ROUMAINE DE CHIMIE, 13 (1968) 231-+.

[3] G. Li, Y. Li, X. Qian, H. Liu, H. Lin, N. Chen, Y. Li, The Journal of Physical Chemistry C, 115 (2011) 2611-2615.

 


[1]Graphyn

[2]Graphdiyne

منتشرشده در مقاله
یکشنبه, 19 آبان 1398 ساعت 00:21

آلایش در گرافن (doping)

آلایش در گرافن و تاثیر آن بر خواص این ماده

گرافن داپت شده با نیتروژن

با توجه به تنوع بسیار زیاد در فرهای مختلف ساختار گرافن و خواص منحصر به فرد این ماده، به تازگی مورد توجه محققین جهت استفاده در ابرخازن های قرار گرفته است. نیتروژن، در جدول تناوبی عناصر در کنار کربن قرار داشته و الکترون نگاتیوی آن از کربن بیشتر است، به همین دلیل جایگزین کردن یکی از اتم های کربن در گرافن منجر به تغییر در ساختار الکترونی آن می گردد. بر همین اساس، گرافن داپت شده با نیتروژن بر اساس ساختار ویژه اش کاندید امیدبخشی جهت ارتقاء عملکرد ابر خازن ها، باتری های لیتیومی، و ترانزیستورها می باشد [1].

ترکیب نیتروژن با گرافن می تواند سه نوع ساختار متفاوت را شکل دهد:

گرافیتی-[1]N

پیریدینیک-N[2]

و پیرولیک-[3]N(شکل-1).

در نوع گرافیتی-N اتم نیتروژن داپت شده جایگزین یکی از اتم های حلقه ی هگزاگونال گرافن می شود.

اما در ساختارهای پیریدینیک-N و پیرولیک-N، الکترون های اوربیتال π پیوندهایی با هیبریداسیون، به ترتیب، sp2 و sp3 تشکیل می دهند [2].

Different structures induced by nitrogen atom dopants in graphene

شکل-1: ساختارهای مختلف ناشی از داپت اتم نیتروژن در گرافن.

 

بر اثر داپینگ نیتروژن، تراز فرمی به بالا ی نقطه ی دیراک جابجا شده و سپس چگالی حالت ها در اطراف تراز فرمی به یک حالت ثابتی منتهی می شود که در نتیجه میان نوار رسانش و نوار ظرفیت گاف نواری ای تقریبا به اندازه ی 0.2 eV پدید می آید (شکل-2) [3].

به همین دلیل گرافن داپت شده با نیتروژن به عنوان کاندید مناسبی جهت استفاده در ادوات نیمه هادی بسیار مناسب است.

 

Band gap created by doping of nitrogen to graphene at point K

شکل-2: گاف نواری ایجاد شده بر اثر داپ نیتروژن به گرافن، در نقطه ی K.

 

گرافن داپت شده با برم

عنصر برم (B)، خواص منحصر بفرد و غیر قابل مقایسه ای دارد. به این دلیل که برم در جدول تناوبی عناصر در کنار کربن قرار دارد، محققین بسیاری امکان داپ برم را در گرافن بررسی کرده اند [4]. ساختار گرافن داپت شده با برم، به روش جالبی سنتز می شود.

در این روش اکسیدگرافیت در حضور اکسید برم (به عنوان منبع برم) بازپخت شده و گرافن داپت شده با برم تولید می گردد. به علاوه الکترون نگاتیوی برم از کربن کمتر است و از همین روی B-گرافن از خود پتانسیل خوبی جهت استفاده در واکنش کاهش اکسیژن (ORR[4]) نشان می دهد.

همچنین به دلیل پایداری و طول عمر بالا، به عنوان ماده ی اصلی کاتالیزور های مبتنی بر پلاتین (Pt) مورد استفاده قرار می گیرد. علاوه بر این، مطالعات مبتنی بر رهیافت DFT نشان داده اند که داپت برم در گرافن منجر به القاء چگالی اسپینی بالاییدر ساختار گرافن می گردد که نقش بسیار تاثیرگذاری بر جذب اکسیژن و مولکول OOH در مقایسه با گرافن خالص دارد [5].

همانطوری که در شکل-3 نشان داده شده است، از آنجایی که اتم برم تنها سه الکترون در لایه ی ظرفیت دارد، اوربیتال pz آن خالی خواهد بود، در مقابل تک الکترون درون اوربیتال نیمه پر pz اتم کربن همسایه در آن یک چگالی اسپینی جایگزیده القاء می کند. از آنجایی که الکترون نگاتیوی اتم برم از اتم کربن کمتر است، پیوند تشکیل شده بیشتر به سمت کربن متمایل می شود و در نتیجه این جایگاه قطبیده ی پدید آمده در ساختار گرافن داپت شده با برم، به عنوان سایت فعال کاتالیز می تواند عمل کند. 

 

How to fill carbon and bromine pz orbitals in B-graphene

شکل-3: نحوه ی پر شدن اوربیتال های pz کربن و برم در B-گرافن.

 

گرافن داپت شده با گوگرد

نخستین بار ساختار الکترونی گرافن داپت شده با گوگرد بصورت تئوری محاسبه شد، که نشان داد این ترکیب با توجه به درصد سولفور داپت شده در گرافن، می تواند نیمه رسانایی با گاف نواری کوچک و یا یک فلز باشد [6]. دنیس[5] و همکارانش در این تحقیق نشان دادند که حتی یک تک اتم گوگرد در یک صفحه ی گرافنی 5×5 می تواند تاثیر جدی در ساختار نواری این ماده پدید بیارورد. محاسبات آنان که با نرم افزار محاسباتی SIESTA انجام شد نشان داد که گوگرد در این صفحه ی گرافنی گاف نواری ای به اندازه ی 0.3 eV و یک پیک بسیار تیز در نزدیکی تراز فرمی به وجود می آورد (شکل-4).

 

The density of graphene states a before sulfur doping b after sulfur dubbing

شکل-4: چگالی حالت های گرافن، a) قبل از داپ گوگرد، b) بعد از داب گوگرد.

 

برای سنتز S-گرافن، از هر دو ماده ی سولفید هیدروژن و دی سولفید بنزیل به عنوان مواد تامین کننده ی گوگرد، به همراه اکسید گرافن استفاده می شود.

 

گرافن داپت شده با سیلیسیم

تحقیقات تئوری و تجربی بسیاری جهت اصلاح عملکرد سنسوری گرافن جهت شناسایی مولکولهای مختلف انجام شده است. مکانیزم این سنسورهای گازی بر مبنای تغییر رسانندگی الکتریکی گرافن به واسطه ی انتقال بار میان گرافن و ماده ی جذب شونده می باشد. اکثر مطالعات نشان می دهند که گازهای NO، NO2 و ... که به عنوان گازهای آلاینده می شناسیم، بصورت فیزیکی بر روی گرافن خالص جذب می شوند. داپ سیلیسیم (Si) در گرافن بسیار کمیاب است، اما به تازگی محققین جهت استفاده در کاتالیزورهای مبتنی بر گرافن به سراغ این ماده نیز رفته اند. تا کنون گزارشی مبنی بر استفاده از Si-گرافن در در کاتالیست ها ارائه نشده است.

زاهو و همکارانش [7] به کمک رهیافت تئوری تابعی چگالی (DFT) به بررسی جذب گازهای NO، N2O و NO2 بر روی Si-گرافن پرداختند و نشان دادند که این ماده می تواند سنسور بسیار خوبی برای شناسایی گازهای NO و NO2 باشد. داپ اتم Si در گرافن باعث جابجایی نوار رسانش گرافن شده و آن را کمی به بالاتر منتقل می کند در نتیجه گاف نواری بسیار کوچکی به اندازه ی 0.054 eV در این ماده به وجود می آید (شکل-5). با وجود آنکه Si چهار ظرفیتی است اما در این ساختار به دلیل طول پیوند های بلند تری که با اتم کربن تشکیل می دهد (Si-C) ساختار هرم شکلی پیدا می کند و به همین دلیل هیبریداسیون sp3 به خود می گیرد، که همین هیبریداسیون منجر به ایجاد ترازهای جایگزیده در اطراف تراز فرمی شده و تاثیر کوچکی بر ویژگی های شبه فلزی گرافن می گذارد.

 

Geometric shape and band structure of graphene doped with silicon

شکل-5: شکل هندسی و ساختار نواری گرافن داپت شده با سیلیسیم.

 

 

References

[1] Y. Lu, Y. Huang, M. Zhang, Y. Chen, Journal of nanoscience and nanotechnology, 14 (2014) 1134-1144.

[2] X.-K. Kong, C.-L. Chen, Q.-W. Chen, Chemical Society Reviews, 43 (2014) 2841-2857.

[3] D. Usachov, O. Vilkov, A. Gruneis, D. Haberer, A. Fedorov, V.K. Adamchuk, A.B. Preobrajenski, P. Dudin, A. Barinov, M. Oehzelt, Nano letters, 11 (2011) 5401-5407.

[4] A. Lherbier, X. Blase, Y.-M. Niquet, F. Triozon, S. Roche, Physical Review Letters, 101 (2008) 036808.

[5] X. Kong, Q. Chen, Z. Sun, ChemPhysChem, 14 (2013) 514-519.

[6] P.A. Denis, R. Faccio, A.W. Mombru, ChemPhysChem, 10 (2009) 715-722.

[7] Y. Chen, B. Gao, J.-X. Zhao, Q.-H. Cai, H.-G. Fu, Journal of molecular modeling, 18 (2012) 2043-2054.

 


[1]Graphitic N

[2]Pyridinic N

[3]Pyrrolic N

[4] Oxygen Reduction Reaction

[5]Denis

منتشرشده در مقاله
پنج شنبه, 02 آبان 1398 ساعت 13:57

DFT الکترونی

 

بررسی خواص الکترونی ساختارها به کمک DFT

میزان رسانایی الکترونی در مواد جامد بسیار متنوع است. بر اساس میزان مقاومت مواد در عبور جریان الکتریکی، مواد مختلف را می‌توان به دسته‌های مختلف رسانا، نیمه رسانا و عایق دسته‌بندی کرد.

ساختار نواری یعنی ترازهایی از انرژی که الکترون می‌تواند در آنها حضور داشته باشد و با حضور نداشته باشد.

به مناطقی که الکترون نمی‌تواند حضور داشته باشد منطقه ی ممنوعه، گاف نواری یا Band Gap می گویند. با محاسبه ی ساختار نواری و گاف نواری مواد می توان به فلز (Metal)، شبه فلز (Semimetal)، نیمه رسانا (Semiconductor) و یا نارسانا (Insulator) بودن مواد پی برد. حتی با محاسبات اسپینی می توان به ساختار هایی که نیمه فلز (Half-metal) هستند نیز پی برد.

امروزه تئوری تابعی چگالی (DFT) به یکی از رایجترین روش های بررسی خواص الکتریکی نانوساختار ها و ساختار های بلوری تبدیل شده است و توسعه ی روش ها و تقریب های محاسباتی منجر به افزایش دقت این محاسبه ها شده است. برخی از اطلاعاتی را که می توان از این رهیافت استخراج کرد در زیر مشاهده می کنید:

    • رسم ساختار نواری (BandStructure)
    • محاسبه ی گاف نواری (Band gap)
    • رسم چگالی حالت ها (DOS)
    • سم چگالی حالت های موضعی (PDOS)
    • محاسبه ی جرم موئثر حامل ها
    • محاسبه ی تحرک پذیری حامل ها
    • تاثیر ناخالصی بر خواص الکتریکی
    • تاثیر نقص بلوری بر خواص الکتریکی.

IMAGE-xqy

 

 

 

در حال حاضر پروژه های بسیاری در قالب پایانامه های دکتری و ارشد برای داشنجویان تحصیلات تکمیلی رشته های فیزیک، شیمی، برق و مهندسی مواد جهت بررسی خواص الکتریکی مواد بلوری و نانوساختار های تعریف شده و به یکی از زمینه های بسیار محبوب در میان اساتید و دانشجویان این رشته در آمده که منجر به هجوم محققین به این علم نوین گردیده است.

به دلیل وسعت بسیار زیاد این حوزه، انتشار مقاله در ژورنال های بسیار معتبر به سادگی امکانپذیر است. نرم افزارهای مختلفی می توانند این پارامترها را محاسبه کنند که از پرکاربردترین آنها Quantum ESPRESSO و Siesta می باشند.

 

 

نمونه مقالاتی که در این حوزه منتشر شده اند:

 

    • Silva, Juliana CM, Heitor A. De Abreu, and Hélio A. Duarte. "Electronic and structural properties of bulk arsenopyrite and its cleavage surfaces–a DFT study." RSC Advances 5.3 (2015): 2013-2023.
    • Park, Changwon, et al. "Electronic Properties of Bilayer Graphene Strongly Coupled to Interlayer Stacking and an External Electric Field." Physical review letters 115.1 (2015): 015502.
    • Rossi, Antonio, et al. "Nano-Scale Corrugations in Graphene: A Density Functional Theory Study of Structure, Electronic Properties and Hydrogenation." The Journal of Physical Chemistry C 119.14 (2015): 7900-7910
منتشرشده در مقاله
دوشنبه, 22 مهر 1398 ساعت 20:04

فعالیت در حوزه سلول های خورشیدی

 

 

 

Solarcell DFT 

 

 مدل سازی خواص سلول های خورشیدی  در تئوری تابعی چگالیDFT

 

به منظور شناسایی مواد جدید برای ساخت نسل های جدید سلول های خورشیدی مانند سلول های خورشیدی پروسکایتی، اورگانیک و ... لزوم بررسی خواص ساختارهای مختلف به جد لازم است. در این بین با توجه به کار سلول های خورشیدی در طیف نور مرئی، هر ماده ای را نمی توان برای کار به عنوان ماده ی جاذب نور در این ادوات به کار برد. از این رو محاسبات ابتدا به ساکن می تواند پیش بینی های بسیار دقیقی در طراحی مواد جدید برای استفاده در سلول های خورشیدی در اختیار ما بگذارد.

در تئوری تابعی چگالی (DFT) امکان بررسی خواص مختلف مواد مورد استفاده در سلول های خورشیدی فراهم می باشد که در زیر بصورت خلاصه قید شده است:

    • طیف های اپتیکی در رنج نور مرئی
    • پایداری ساختار در دمای کار ماده
    • انرژی بستگی اکسیتون های تشکیل شده پس از جذب فوتون فرودی
    • تاثیر زیرلایه بر خواص ماده ی جاذب
    • تاثیر لایه ی محافظتی بر خواص ماده ی جاذب

Solarcell DFT

 

 

در این حوزه ی محاسباتی، می توان پروژه های کارشناسی ارشد و دکتری بسیاری را در رشته های شیمی، فیزیک، برق و مهندسی مواد تعریف کرد. در نرم افزارهای محاسباتی ای مانند Quantum ESPRESSO امکان محاسبه ی دقیق این پارامترها وجود داشته و نرم افزارهای جانبی دیگری نیز برای آنالیز های بیشتر و بدست آوردن نتایجی دقیق تر به منظور انتشار مقالات علمی در ژورنال های معتبر فراهم است.

نمونه مقالاتی که در این حوزه منتشر شده اند:

 

 

  • Dunlap-Shohl, Wiley A., Trey B. Daunis, Xiaoming Wang, Jian Wang, Boya Zhang, Diego Barrera, Yanfa Yan, Julia WP Hsu, and David B. Mitzi. "Room-temperature fabrication of a delafossite CuCrO 2 hole transport layer for perovskite solar cells." Journal of Materials Chemistry A 6, no. 2 (2018): 469-477.
  • Parras, J. P., A. R. Genreith-Schriever, H. Zhang, M. T. Elm, T. Norby, and R. A. De Souza. "Is ReO 3 a mixed ionic–electronic conductor? A DFT study of defect formation and migration in a B VI O 3 perovskite-type oxide." Physical Chemistry Chemical Physics 20, no. 12 (2018): 8008-8015.
  • Liu, Xixia, Nengduo Zhang, Baoshan Tang, Mengsha Li, Yong-Wei Zhang, Zhi Gen Yu, and Hao Gong. "Highly stable new organic–inorganic hybrid 3D perovskite CH3NH3PdI3 and 2D perovskite (CH3NH3) 3Pd2I7: DFT analysis, synthesis, structure, transition behavior, and physical properties." The journal of physical chemistry letters 9, no. 19 (2018): 5862-5872.

 

 

 

 

منتشرشده در مقاله

7 روز هفته، 24 ساعته پاسخگوی شما هستیم

social 16social 13social 09 social 05