صفحه اصلی | ان آر تی سی | صفحه اصلی<

09392522438  
   EN | FA
مدیر ارشد

مدیر ارشد

پنج شنبه, 18 بهمن 1397 ساعت 10:45

همایون جعفری

Homayoun

 

مرکز محاسباتی NRTC در نظر دارد با همکاری برخی از دانشگاه های معتبر کشور اقدام به برگزاری دوره های آموزشی نرم افزارهای شبیه سازی و محاسباتی نماید. علاقه مندانی که توانایی و تبهر کافی در زمینه ی نرمز افزارهای مختلف دارند می توانند بصورت رایگان از سامانه ی آموزشی این مرکز استفاده کرده و دوره های آموزشی مورد نظر خود را با این سامانه برگزار نمایند. این مرکز همچنین امکان صدور و ارائه ی گواهی معتبر و قابل ترجمه ی مدرس و گواهی دانشجو را دارا می باشد. علاقه مندان می توانند با مکاتبه با ایمیل زیر از جزئیات این طرح مطلع شده و هماهنگی های لازم را برای شروع هرچه سریعتر دوره های مورد نظر خود انجام دهند.

ایمیل:

این آدرس ایمیل توسط spambots حفاظت می شود. برای دیدن شما نیاز به جاوا اسکریپت دارید

 

Current-voltage characteristics of armchair and zigzag γ-graphyne nanotubes with three different diameters under uniaxial strain are investigated by using first-principles quantum transport calculations through density functional theory (DFT) and non-equilibrium Green's function (NEGF) method. It is shown that for a given value of bias voltage, the resulting current depends strongly on the applied load so that tensile and compressive strain can generate Negative Differential Resistance (NDR) mostly into the armchair nanotubes. Our study reveals that the rectification behavior of the systems is mainly due to the asymmetric electron transmission function distribution in the conduction and valence bands.

 

Ref: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1591/aafc59/meta

 

 

 

 

Two-dimensional (2D) organic–inorganic hybrid halide perovskites (OIHPs) have been considered by researchers in the field of solar cells due to their high-temperature stability. In this paper, the electronic and optical properties of single-layer (SL) and multilayer (ML) structures of MAPbX3 (X = Cl, Br, I and MA = CH3NH3) have been studied by density functional theory (DFT) in order to predict its photovoltaic capabilities. The results have shown that SL- and ML-MAPbX3 have a direct band gap in the range of 1.76–2.70 eV. The calculation of dielectric constants has depicted that the static dielectric constants (SDCs) of SL-MAPbX3 are smaller than SDCs of ML-MAPbX3. However, as we expected, the reaction of the structures to in-plane (║) and out-of-plane (┴) polarizations was different; therefore, the SL- and ML-MAPbX3 (X = Cl, Br, I) were optically anisotropic. In addition, the intensity of the optical absorption spectrum for ML-MAPbX3 structures is approximately three times higher than that of SL-MAPbX3 structures. By increasing the radius of halogens (RCl<RBr<RI), surface area under the absorption curve increases and absorbs more. Furthermore, our results have shown that the electronic and optical behavior of 2D-MAPbX3 is suitable for photovoltaic applications and makes them useful for OIHP solar cells.

 

Ref: https://www.tandfonline.com/doi/abs/10.1080/15567036.2019.1568645

 

 

 

 

In this study, using the density functional theory, the mechanical properties of methylammonium lead halide perovskites (CH3NH3PbX3, X = I, Br, Cl) were investigated. Young’s modulus, bulk modulus, and shear modulus, Poisson’s ratio, and many other parameters were calculated using the PBEsol and vdW approximations. Also, in this work, utilizing a new accuracy in calculating the elastic constants, the intense conflict between the previous theoretical results and the experimental data were fixed. Moreover, for the first time, through combination of the PBEsol and vdW methods, the effect of the interaction between methylammonium and PbX3 scaffold on the mechanical properties of lead halide perovskites was well cleared. In continuation, using the PBEsol+vdW method, a phase transition appeared for the MAPbBr3 and MAPbCl3 structures, which proved more stability of MAPbBr3 and MAPbCl3 in comparison with MAPbI3. In what follows, by studying these materials under an applied strain beyond the harmonic region, the transition zone to the plastic area in the strain region of 5.5% and smaller was identified, and the small values of the aforementioned applied strains were found to be the reason for the instability of these materials at room temperature and above.

 

Ref: https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.jpcc.7b07129

 

 

 

 

In this paper, we have investigated the electronic transport properties and current-voltage characteristics of the armchair and zigzag Υ -graphyne nanotubes by the SIESTA and TRANSIESTA packages including density functional theory and nonequilibrium Green's function for the four chiral vectors 2, 3, 4, and 5. We found that the current in Υ -graphyne nanotubes is very negligible for low bias voltages, but it enhances precipitously for voltages above the threshold voltage. Both zigzag and armchair Υ -graphyne nanotubes reveal negative differential resistance, for specific diameters, which is a promising result for nano-based device usages such as switching and memory circuits. Finally, the characteristics of these nanotubes are similar to those of a two-way tunneling diode. Therefore, we can expect a new application that produces oscillation.

 

Ref: https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/8617679

 

 

 

 

By means of first-principles calculations, the mechanical properties and the strain-dependent electronic band structure of the orthorhombic SnS monolayer were investigated. In an attempt to investigate the elasticity of this material, six deformation modes were considered. The stability of this configuration against these external tensions was assessed, and the second-order elastic constants were found to be C11 = 45.2 N/m, C22 = 25.3 N/m, C12 = 18.0 N/m, and C66 = 54.3 N/m. The third- and fourth-order elastic constants, which shed light on the material behavior at strains above the harmonic region, were also determined. The stress-strain relationships imply that the SnS monolayer can withstand tensile strains up to 0.075, 0.29, and 0.12 for uniaxial strain along the a direction, uniaxial strain along the b direction, and biaxial strain, respectively. Moreover, a study of the electronic band structure of the SnS monolayer shows that this indirect band gap semiconductor when exposed to a marginal uniaxial or biaxial strain (about 2%) experiences a transition to a direct band gap semiconductor with a moderate band gap (<2.7 eV). This transition merely occurs when tensile strain is exerted. Our findings suggest that under compressive strain, this semiconducting material maintains its indirect band gap nature, and the band gap predominately declines. Lastly, the band splitting that arises from spin-orbit interactions in most cases vanishes when strain is applied. However, compressive strain along the a direction and tensile strain along the b direction are two exceptions, in which the former strengthens the spin-orbit effects and for the latter, band splitting remains almost unchanged.

 

Ref: https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0022369718302075

 

 

 

 

In this paper, we have addressed the structural stability and hydrogen storage capability of single side and double side Na-decorated γ-Graphyne, Graphyne-like Boron Nitride and CCBN-yne, using three methods of density functional theory approximation: PBEsol, vdW-DF2-B86R and vdW-DF2. We also investigated the electronic properties of these structures, decorated by Na atoms and adsorbing hydrogen, such as density of states and band structure. Our results showed that hydrogen can be adsorbed up to three molecules per Na atom. We found the optimal geometries of adsorbed hydrogen molecules on adsorption candidates. We also found that Direct band-gap at “M” point changes after decoration and adsorption in mentioned structures. Finally, we explored metallic structures for hydrogen storage which can be used in the industry of fuel cells.

 

Ref: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0025540817310139

 

 

 

 

In this paper, the mechanical properties of Na and Pt decorated arrays of 2D graphyne sheet is investigated. The proposed structures are consisted of Na and Pt decorated graphyne sheet (CC), analogous system of Boron nitride sheet (BN-yne), and graphyne-like BN sheet (CC-BN-yne). The properties such as In-plane stiffness and Bulk module are studied using Energy-Strain correlation. The calculations were carried out based on Density functional theory (DFT) using the generalized gradient approximation (GGA) framework. The results offered very competitive values of stiffness and Bulk module for Pt decorated CC and BN-yne. However, the Pt decorated CC-BN-yne structure demonstrated around 80% of stiffness and 77% of Bulk module, compared to those of pure structure. Na decorated system showed the same trend for all three mentioned structures.

 

Ref: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0749603616309028

 

 

 

 

سه شنبه, 18 دی 1397 ساعت 15:41

Quantum ESPRESSO

Quantum ESPRESSO : بسته ی نرم افزاری کوانتوم اسپرسو، نرم افزاری چند منظوره برای محاسبات ابتدا به ساکن در سیستم های ماده چگال (تناوبی و بی نظم) می باشد که بر پایه ی نظریه ی تابعی چگالی (DFT) کار می کند. از این نرم افزار بصورت گسترده در بررسی و شبیه سازی نانو ساختار ها استفاده می شود. کلمه اسپرسو به معنای قهوه فشرده است، که مخفف کلمات زیر می باشد:

opEn Source Package for Research in Electronic Structure, Simulation and Optimaization

ین نرم افزار برای کار در محیط لینوکس نوشته شده و دارای سه کد مجزای کامپیوتری PWscf، FPMD و CP می‌باشد که هر سه‌ی آن‌ها بر پایه‌ی نظریه‌ی تابعی چگالی کار می‌کنند و برای انجام محاسبات از امواج تخت به همراه شبه پتانسیل استفاده می‌کنند. همچنین این بسته‌ی نرم افزاری قابلیت محاسبه‌ی اکثر تقریب‌های انرژی تبادلی- همبستگی مانند LDA، GGA، LSDA و LDA+U را دارد.
قابلیت هایQE

در بسته محاسباتی Quantum ESPRESSO سه نوع محاسبات Pwscf، Phonon و PostProc انجام می پذیرد.
1- Pwscf

Pwscf می تواند محاسبات زیر را انجام دهد:

1. محاسبه نیروهای بین اتمی، تنش، و بهینه سازی ساختار یونی.
2. محاسبه دینامیک مولکولی در حالت پایه سطح بورن-اوپنهایمر(Born-Oppenheimer) ، با تغییرات سلول.
3. قطبش ماکروسکوپی و میدان الکتریکی محدود از طریق تئوری مدرن قطبش(Berry Phases) .
4. محاسبه انرژی آزاد سطح در سلول ثابت از طریق متا دینامیک. ( به کمک بسته PLUMED)
5. محاسبه‌ی انرژی حالت پایه‌ی سیستم و استخراج ویژه تابع‌ها و مقدارهای معادلات کوهن- شم با استفاده از حل خودسازگار سیستم.
6. محاسبه‌ی تنش وارد بر دیوارهای سلول واحد و نیروی وارد بر اتم‌ها.
7. محاسبه‌ی واهلش سیستم یا دینامیک مولکولی، که به دو روش قابل بررسی است. در حالت اول با ثابت نگه داشتن دیواره‌های سلول واحد و جابجا کردن اتم‌ها در فضای آن تا سیستم به حالت پایه برسد و حالت دوم حرکت دادن دیواره‌ها که ابعاد سلول واحد اجازه‌ی تغییر دارند.
8. محاسبه‌ی فرکانس فونون ها با استفاده از نظریه اختلالی تابعی چگالی.
9. محاسبه‌ی قطبیدگی ماکروسکوپیک از طریق فاز بِری.
10. بررسی برهمکنش اسپین-مدار.

همه محاسبات فوق برای هر دو نوع عایق و فلزات، در هر ساختار بلوری، برای بسیاری از توابع همبستگی-تبادلی (exchange correlation) از جمله قطبش اسپین، DFT + U، توابع غیرموضعیVdW، توابع هیبریدی، شبهه پتانسیلهای بار پایسته (Hamann-Schluter-Chiang PPs (NCPPs)) یا فوق نرم (Vanderbilt, PPs, USPPs) مورد استفاده قرار می گیرد. درمحاسبات، مغناطیس غیرهمراستا و برهمکنش اسپین-مدار نیز لحاظ شده است. همچنین میدان الکتریکی محدود با یک پتانسیل الکتریکی دندان اره ای در یک سلول در بسته پیاده سازی شده است (NEB).
2- Phonon

پکیج Phonon در بسته ی Quantum ESPRESSO میتواند محاسبات زیر را انجام دهد:

1. محاسبه فرکانسهای فونونی و ویژه بردارهای آنها با استفاده از نظریه تابعی چگالی اختلالی Density-Functional perturbation Theory .
2. بار موثر و تانسورهای دی الکتریک.
3. ضریب برهمکنش الکترون-فونون در فلزات.
4. برهمکنشهای ثابت نیرو در فضای مستقیم.
5. طول عمر فونونهای غیرهماهنگ مرتبه سوم.
6. سطح مقطع مادون قرمز و رامان.

Phonon هم مانند Pwscf میتواند از DFT+U وVdW استفاده کند. اما USPP و PAW در محاسبات فونونی پیاده سازی نشده اند. محاسبات تقریب شبه هارمونیک Quasi-Harmonic approximations با استفاده از بسته QHA انجام میشود که نیاز به محاسبات چگالی حالتهای فونونی دارد.
3- PostProc

پکیج PostProc در Quantum ESPRESSO میتواند محاسبات زیر را انجام دهد:

1. اسکن تصاویر میکروسکوپ تونل زنی (STM).
2. رسم توابع محلی سازی الکترونی (ELF).
3. چگالی حالتها (DOS) و چگالی حالتهای تصویر شده (PDOS).
4. میانگین گیری سطحی و کروی.
دوره ی آموزشی QE

دوره ی آموزشی Quantum ESPRESSO در دو سطح مقدماتی و پیشرفته برگزار می شود. مباحث آموزش داده شده در هر سطح به شرح زیر می باشد:
سطح مقدماتی:

1. اهمیت و جایگاه فیزیک/شیمی محاسباتی.
2. آشنایی با مبانی نظری Quantum ESPRESSO از جمله DFT و شبه پتانسیل.
3. نصب نرم افزار Quantum ESPRESSO.
4. آشنایی با محیط نرم افزار Quantum ESPRESSO و بخش های مختلف آن.
5. نحوه ی ورودی نویسی و معرفی ساختار مورد نظر به QE و انجام تنظیمات اولیه.
6. بهینه سازی ساختار مورد مطالعه و محاسبه طول و زوایای پیوندی و شکل کلی ساختار.
7. آشنایی با نرم افزار کمکی XcrysDen جهت بررسی شماتیک جزئیات ساختار مورد مطالعه.
8. رسم بانداستراکچر، DOS و PDOS.
9. محاسبه و رسم توپولوژی بار (Charge Density- ELF).
10. مطالعه ی جذب مولکول بر روی سطوح متنوع تحت فشارهای مختلف.
سطح پیشرفته:

1. بررسی خواص مکانیکی ساختارها (تئوری/محاسباتی) به کمک Quantum ESPRESSO.
2. بررسی خواص اپتیکی ساختارها (تئوری/محاسباتی) با استفاده از Quantum ESPRESSO.
3. بررسی خواص فونونی ساختارها و محاسبه ی توابع ترمودینامیکی و شیمیایی آنها (تئوری/محاسباتی) در QE.
4. بررسی خواص رسانندگی ساختارها (تئوری/محاسباتی) در QE.
5. اعمال میدان الکتریکی خارجی بر ساختارها (تئوری/محاسباتی) در QE.
6. بررسی خواص گوناگون ساختارها با اضافه کردن برهمکنش اسپین- مداری (تئوری/محاسباتی) در QE.
7. آشنایی با محاسبات مبتنی بر نظریه ی تابعی چگالی وابسته به زمان، TDDFT (تئوری/محاسباتی) در QE.

 

 

صفحه1 از9

7 روز هفته، 24 ساعته پاسخگوی شما هستیم

social 16 social 13 social 09 social 07 social 05

NRTC

تمامی حقوق نزد شرکت محفوظ است